Qualcomm Snapdragon 830 превращается в Snapdragon 835

Официальные новости от компаний Samsung и Qualcomm немного отличаются от прошлых слухов. Оба производителя действительно сотрудничают вместе, только над платформой Snapdragon 835, а не Snapdragon 830. Разработкой «системы-на-чипе» занимаются обе компании, за производственную часть будет отвечать южнокорейская корпорация.

Новый 10-нм техпроцесс FinFET позволит на 30% увеличить эффективность использования площади кристалла, на 27% увеличить мощность чипа и на 40% снизить потребление электроэнергии. На пресс-конференции особое внимание было уделено поддержке технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. По данным компании, более 60% пользователей при покупке нового устройства обращают внимание на возможность быстро зарядить батарею. Новая ревизия технологии, по сравнению с прошлым поколением, буде заряжать на 20% быстрее и на 30% эффективней. Quick Charge 4.0 поддерживает стандарты USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD), которые встречаются в прошлогодних Nexus и новых смартфонах Pixel.

Производитель также разработал третье поколение алгоритма управления питанием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). С его помощью выбирается оптимальный режим напряжения, который обеспечивает управление температурным режимом в реальном времени. Snapdragon 835 ожидаем увидеть в реальных девайсах в первой половине 2017 года.